结果与讨论 这次分析中我们用同样的加工条件、网格模型 及塑料材料，以不同浇口位置和形式来进行 IC 封装的充填分析，探讨对金线偏移量的影响。 经由 Moldex3D-RIM 模流分析得到熔融热固性 塑料的填充结果如下: 1.流动波前(Advancing Melt Front) （1）进浇口在 1 的位置(Run 1): a.如图 9 所示上下模的流动波前在 15 及 38％ 时尚未平衡。 b.上下模的流动波前在 58％(金线和芯片区处)和 97％时已平衡(如图 10)。 c.充填末端位于成品的右方（如图 10 黑色圈所 示），此位置应考虑有逃气孔的设计，以免胶 料无法填满。原始设计的流动长度较长。
图 9.Run1 流动波前 15~38％，上下模流动波前不 平衡[Moldex3D]
图 10. Run1 流动波前 58~97％上下模流动波前已平 衡[Moldex3D] （2）进浇口在 2 的位置(Run2): a.上下模流动波前在 18％和 60％(已过芯片- 金线区)处均未平衡，故易造成晶垫位移和线 -晶短路。晶垫位移乃因上下模流动波前不平 衡，在芯片处上下压力不同所形成。而晶垫 位移太大就形成线-晶短路。上下模流动波前 过了金线区才平衡(如图 12 所示)，流动长度 较原始设计短。 b.包封区有 2 处(如图 11 圆圈所示) ，乃因上 下模流动波前不平衡造成。 c.充填末端位于成品的右方(如图 12 黑色圈所 示)。
图 11. Run2 流动波前 18％~60％上下模波前不 平衡[Moldex3D]
a.上下模流动波前从头到尾都不平衡(如 13、14 图所示)易造成晶垫位移和线-晶短路，流动 长度最短。 b.包封区有 3 处(如 14 图圆圈所示)。 c.充填末端位于成品的右方(如 14 图黑圈所 示)。
图 13. Run3 流动波前 30~73％[Moldex3D] 图 14 .Run3 流动波前 80~95％[Moldex3D] 4）进浇处在 2 的位置(Run4): 改变浇口形式，上下模流动波前跟变更设计 的 Run2 差不多，故易造成晶垫位移和线-晶 短路。
3.温度分布 由温度结果如图 15 所示，浇口附近的塑料 材料温度皆较低，故塑料填满时，浇口附近的 料才刚填充，被模具加热时间较短，故温度较 低，相对其黏度也较大。Run3 的浇口最接近金 线处，故其黏度也最大，对金线的拖曳力也相 对最大。
图 15 .Run1 温度分布[Moldex3D] |
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